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参数目录42449
> ZXMN10A08E6TA MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
型号:
ZXMN10A08E6TA
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
ZXMN10A08E6TA PDF
其它图纸
SOT-23-6 Pin Out
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫欧 @ 3.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
7.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
405pF @ 50V
功率 - 最大
1.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6
供应商设备封装
SOT-23-6
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
ZXMN10A08E6TR
查看ZXMN10A08E6TA代理商
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